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長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室大功率循環(huán)測(cè)試


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產(chǎn)品詳細(xì)說(shuō)明

1.什么是功率循環(huán)試驗(yàn)

功率循環(huán)試驗(yàn)(簡(jiǎn)稱PC)是用于考核功率器件封裝可靠性的試驗(yàn)之一,近年來(lái),新能源汽車的發(fā)展迅速,相關(guān)的功率器件也得到了快速的發(fā)展,特別是絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱IGBT),在新能源汽車,高鐵,家用電器等設(shè)備中一直處于核心部件的位置,除了IGBT,還有寬禁帶器件(有SIC MOSFET 以及GaN 等),因其高擊穿場(chǎng)強(qiáng),高工作結(jié)溫和高開關(guān)頻率的特點(diǎn),在新能源汽車領(lǐng)域得到了巨大的青睞。所以功率循環(huán)測(cè)試也成為了各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)@些功率芯片測(cè)試的主要測(cè)試試驗(yàn),用于確認(rèn)來(lái)料的IGBT/SIC MOSFET/GaN等功率器件的可靠性,從而確認(rèn)實(shí)際產(chǎn)品的安全性和質(zhì)量保證。

2.功率器件如何來(lái)做這個(gè)試驗(yàn)?

其測(cè)試是通過(guò)設(shè)備供電至老化板或者測(cè)試板上,對(duì)每個(gè)板上的功率器件施加負(fù)載電流,通過(guò)電流的開通和斷開來(lái)模擬功率器件在實(shí)際的使用過(guò)程中所產(chǎn)生的結(jié)溫變動(dòng)的情況,同時(shí)在測(cè)試的過(guò)程中,通過(guò)施加一定的老化加速測(cè)試條件使功率器件的問(wèn)題提前暴露。這種測(cè)試的方法是評(píng)估功率器件封裝可靠性z重要的測(cè)試。

3.有哪些測(cè)試技術(shù)和方法?

測(cè)試技術(shù)方面,主要包括:電氣測(cè)量噪聲,結(jié)溫延時(shí)和數(shù)據(jù)采集點(diǎn)。測(cè)試方法主要有結(jié)溫測(cè)試,電流激勵(lì)等測(cè)試方式,其中電流激勵(lì)配合高溫沖擊的方案是z為有效的失效性測(cè)試的方式

5.目前的難點(diǎn)在哪里?

目前測(cè)試難度在于,其測(cè)試的電流電壓過(guò)大,很難找到對(duì)應(yīng)的大電流高電壓的老化測(cè)試座,這樣對(duì)于批量自動(dòng)化測(cè)試帶來(lái)了很大的難度,目前大部分測(cè)試還是依賴于直接焊接至老化板上進(jìn)行測(cè)試,但是這種方案問(wèn)題在于,大批量的測(cè)試比較難實(shí)現(xiàn),大批量的老化板和焊接,成本又會(huì)很高,所以不是很經(jīng)濟(jì)。這個(gè)自動(dòng)化測(cè)試座的開發(fā)問(wèn)題是亟待解決的。

 

另外,關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)方面,目前IEC,ECPE等國(guó)際機(jī)構(gòu)均有了相關(guān)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),大家有興趣可以了解下。

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