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導(dǎo)熱硅膠片滿足5G射頻功率放大器熱設(shè)計(jì)需求

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2023-02-27 17:02:29  瀏覽次數(shù):126
核心提示:射頻功率放大器是5G基站中不可或缺的組成部件,通常會(huì)被設(shè)計(jì)成模塊安裝在整機(jī)中,盡可能的減少對(duì)其他部件的影響。由于射頻功率放大器在進(jìn)行持續(xù)高速的工作時(shí),射頻功率放大器內(nèi)會(huì)產(chǎn)生大量熱量
       射頻功率放大器是5G基站中不可或缺的組成部件,通常會(huì)被設(shè)計(jì)成模塊安裝在整機(jī)中,盡可能的減少對(duì)其他部件的影響。由于射頻功率放大器在進(jìn)行持續(xù)高速的工作時(shí),射頻功率放大器內(nèi)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,而常規(guī)的射頻功率放大器在工作過(guò)程中不能夠進(jìn)行快速穩(wěn)定的散熱工作,進(jìn)而不能確保后續(xù)持續(xù)工作的穩(wěn)定性,如果通過(guò)開(kāi)孔進(jìn)行散熱,則散熱效率低,且外界空氣中的雜質(zhì)與灰塵容易堵塞散熱孔。

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       隨著電力電子裝置的小型化發(fā)展以及功率密度的提高,設(shè)備的溫度對(duì)其安全可靠運(yùn)行影響很大。由于功率器件的失效率隨器件溫度呈指數(shù)關(guān)系增長(zhǎng),在實(shí)際工作中可能會(huì)因?yàn)闊崃坎荒芗皶r(shí)排出或分布不均導(dǎo)致器件溫度過(guò)高甚至燒毀,影響電路的可靠性和壽命。同時(shí),功率器件的熱性能也對(duì)功率放大器的輸出失真有一定的影響。

       射頻功放的發(fā)熱量較高,一般芯片底部會(huì)直接焊到金屬基板上進(jìn)行散熱,芯片頂部與設(shè)備外殼之間則利用導(dǎo)熱硅膠片來(lái)填充,形成連續(xù)的導(dǎo)熱通路。導(dǎo)熱系數(shù)從1.2~25.0W/mK;防火等級(jí)UL94V0;多種厚度硬度選擇:0.5mm-5.0mm;使用溫度范圍:-40 To 160 ℃。軟性導(dǎo)熱硅膠片在一定的壓縮下滿足縫隙填充的需求,保持導(dǎo)熱性能不變,可迅速的將熱量傳導(dǎo)至外殼,達(dá)到一個(gè)很好的散熱目的。
 
 
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