P+F傳感器的材質取決于其類型和應用。例如，數(shù)字，模擬，接近和圖像傳感器都具有自己的材料，結構，制造設計和包裝。大多數(shù)制造商通常采用新的傳感器（如MEMS）的材料和制造設計。電子產(chǎn)品中使用的材料主要起著兩個作用——發(fā)揮主動或被動的作用。被動材料用于提供機械結構或電氣連接。這些材料中的某些材料（如硅和砷化鎵）也可以用作有源和無源材料。活性物質對于微電子，光敏，壓電，磁阻和化學電阻膜的傳感過程比較重要。
 
       薄膜或厚膜形式的微傳感器材料在P+F傳感器傳感系統(tǒng)中有重要作用。這些設備使用化學氣相沉積（CVD）或低壓化學氣相沉積（LPCVD）以及某些技術（例如電化學沉積）制造。比如元素硅在自然界中不存在，但存在于氧化物和硅酸鹽等化合物中。硅是豐富的，相對便宜的，并且具有許多可用于傳感器應用的物理特性。可以在硅襯底上沉積具有所需特性的材料層。單晶硅是使用較廣的半導體材料，且它可以通過用氧化物真空沉積到氧化的硅晶片上來形成多晶層。多晶硅結構可以通過離子注入或其他設計摻雜硼或其他元素，以達所需的導電性。
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