深圳大芯超導(dǎo)有限公司

CREE碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代，英飛凌碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代，Wolfspeed碳化硅...

公司介紹

新聞中心

暫無新聞

聯(lián)系方式

聯(lián)系人：業(yè)務(wù)經(jīng)理
電話：0755-28397653
郵件：info@xk-semi.com
傳真：0755-28397653

站內(nèi)搜索

您當(dāng)前的位置：首頁 » 公司介紹

公司介紹

大芯超導(dǎo)有限公司元器件專業(yè)分銷商

BASiC基本半導(dǎo)體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發(fā)射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發(fā)射極端子，繞過柵極控制回路上的發(fā)射極引線電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關(guān)速度并降低開關(guān)能量。主要規(guī)格有BGH50N65HF1（IKW50N65RH5國產(chǎn)替代，AIKW50N65RF5國產(chǎn)替代），BGH50N65HS1 (IKW50N65SS5國產(chǎn)替代),BGH50N65ZF1 （IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5國產(chǎn)替代），BGH75N65HF1（IKW75N65RH5國產(chǎn)替代），BGH75N65HS1 (IKW75N65SS5國產(chǎn)替代),BGH75N65ZF1（IKZA75N65RH5，IKZA75N65SS5國產(chǎn)替代），BGH40N120HF（IKW40N120H3，IKW40N120CS6，IKW40N120CS7國產(chǎn)替代）,BGH75N120HS (IKQ75N120CH3國產(chǎn)替代，IKQ75N120CS6國產(chǎn)替代，)特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應(yīng)用包括：車載充電機(jī)（OBC）、ESS儲能系統(tǒng)、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統(tǒng) (UPS)，以及服務(wù)器和電信用開關(guān)電源 (SMPS) ，基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的方案。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使IGBT的開關(guān)損耗大幅降低，適用于車載電源充電機(jī)（OBC）、通信電源、高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、儲能等領(lǐng)域。

BASiC基本半導(dǎo)體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開關(guān)優(yōu)化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管，基本SiC二極管極小Qrr，有效降低對管IGBT開通損耗，且自身反向恢復(fù)損耗Erec也明顯降低，IGBT開通損耗隨溫度的影響很小，降低EMI，廣泛應(yīng)用于OBC車載充電器，光伏儲能逆變器，充電樁電源模塊，移動儲能逆變器功率因數(shù)校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。

BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC，B1M080120HC，B1M080120HK，B1M032120HC，B1M032120HK具備開關(guān)中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗，以及無閾值通態(tài)特性等。非常適合硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)洌鏛LC和ZVS，廣泛應(yīng)用于OBC車載充電器，光伏儲能逆變器，充電樁電源模塊等，可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅(qū)動器進(jìn)行驅(qū)動。由于能在高開關(guān)頻率下帶來高效率，從而可以減小系統(tǒng)尺寸、增大功率密度，并確保高可靠性，延長使用壽命。

光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H,B2D40065H，B2D02120E1,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，混合三電平SiC-IGBT模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，儲能逆變器SiC MOSFET，光伏逆變器SiC MOSFET，三電平IGBT模塊，光儲一體機(jī)混合IGBT器件

BASiC基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航怠ASiC基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了一代和二代產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，采用JBS結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC，可以降低應(yīng)用端的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。

公司檔案

公司名稱：	深圳大芯超導(dǎo)有限公司	公司類型：	企業(yè)單位 ()
所在地：	廣東/深圳市	公司規(guī)模：
注冊資本：	未填寫	注冊年份：	2012

資料認(rèn)證：

保證金：

已繳納 0.00 元

經(jīng)營范圍：

CREE碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代，英飛凌碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代，Wolfspeed碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代，英飛凌碳化硅MOSFET模塊國產(chǎn)替代，IMZA120R040M1H國產(chǎn)替代，IMW120R040M1H國產(chǎn)替代，IMW120R045M1國產(chǎn)替代，C3M0075120D國產(chǎn)替代，C3M0160120D國產(chǎn)替代，C3M0040120K國產(chǎn)替代，I型NPC1三電平IGBT模塊，T型NPC2三電平IGBT模塊

銷售的產(chǎn)品：

英飛凌IGBT單管國產(chǎn)替代，英飛凌混合IGBT單管國產(chǎn)替代，BGH50N65HF1，IKW50N65RH5國產(chǎn)替代，AIKW50N65RF5國產(chǎn)替代，IKW50N65SS5國產(chǎn)替代，BGH50N65ZF1，IKZA50N65RH5國產(chǎn)替代，IKZA50N65SS5國產(chǎn)替代，BGH75N65HF1，IKW75N65RH5國產(chǎn)替代，IKW75N65SS5國產(chǎn)替代，BGH75N65ZF1，IKZA75N65RH5國產(chǎn)替代，IKZA75N65SS5國產(chǎn)替代，BGH40N120HF，IKW40N120H3國產(chǎn)替代，

采購的產(chǎn)品：

光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管，國產(chǎn)混合三電平SiC-IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT單管，混合IGBT單管，國產(chǎn)SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國產(chǎn)SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，國產(chǎn)TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，儲能逆變器SiC MOSFET，光伏逆變器S

主營行業(yè)：

電工電氣

日本按摩中出_国产免费黄视频在线观看_精品久久久久一区二区国产_夜夜未满十八勿进的爽爽影视

深圳大芯超導(dǎo)有限公司

CREE碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代，英飛凌碳化硅SiC MOSFET國產(chǎn)替代，Wolfspeed碳化硅...